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[发明专利]取代苯二硫醇金属配合物及含有其的光吸收色素组合物-CN200810166919.2无效
发明人：西口英明;加贺野宏和;藤本幸司;明见秀彦;增原悠策 -专利权人：住友精化株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： C07C317/14 文献下载
摘要：该取代苯二硫醇金属配合物用通式(1)表示，式中，R¹和R²各自独立，表示碳原子数为1～6的烷基，碳原子数为1～8的烷基氨基，具有取代基或无取代基的吗啉代基，具有取代基或无取代基的哌啶子基，具有取代基或无取代基的吡咯烷基，具有取代基或无取代基的硫代吗啉代基，具有取代基或无取代基的哌嗪基或者具有取代基或无取代基的苯基；M表示过渡金属原子。
取代硫醇金属配合含有光吸收色素组合

[发明专利]含有金属有机结构体的储氢材料-CN202080043943.6在审
发明人：箕浦真生;菅又功;柳沢大地;小林翔;饭滨照幸 -专利权人：学校法人立教学院;日本曹达株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C07C63/15 文献下载
摘要：(式(I)中，X表示无取代或取代C2～C20烷基、无取代或取代烯基、无取代或取代炔基、无取代或取代烷氧基、无取代或取代烯氧基、无取代或取代炔氧基、苄氧基、无取代或取代烷基硫基、无取代或取代烯基硫基、无取代或取代炔基硫基、无取代或取代烷基氨基、无取代或取代二烷基氨基、无取代或取代烯基氨基、无取代或取代二烯基氨基、无取代或取代炔基氨基、无取代或取代二炔基氨基、苯基、巯基、或者无取代或取代烷氧基羰基。)
含有金属有机结构材料

[发明专利]作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯-CN200680016379.9无效
发明人： F·比尼沃尔德;B·施米德哈尔特;U·贝伦斯;H·J·柯纳 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2006-05-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体的新半导体设备，其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、Si(R11)₃、XR6；或一个或多个R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；R6为Si(R11)₃、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；X为O、S、NR8；R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基
作为有机半导体氮杂二萘嵌苯

[实用新型]一种防断裂的抗静电无纺基布-CN202020742512.6有效
发明人：李朋;刘雷;周世建 -专利权人：扬州丽铂环保材料有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及无纺基布加工技术领域，且公开了一种防断裂的抗静电无纺基布，包括无纺基布层，所述无纺基布层的底部设置有抗拉层，所述抗拉层的底部设置有导电碳纤维层，所述导电碳纤维层的底部设置有亲水纤维层，所述亲水纤维层的底部设置有透气层该防断裂的抗静电无纺基布，通过亲水纤维层能够使得无纺基布吸收外界空气含有的水分，避免无纺基布由于过于干燥而容易产生静电，同时无纺基布内部含有的带电颗粒能够通过导电颗粒吸附层进行吸收中和，增强无纺基布的抗静电能力，通过抗拉层和复合纤维层的配合使用，能够增强无纺基布的韧性和强度，使得无纺基布在受外力的作用下，不容易产生断裂。
一种断裂抗静电无纺基布

[实用新型]一种复合无纺布-CN202022682087.9有效
发明人：陆臣省;陆文俊 -专利权人：浙江雅宝无纺布制品有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种复合无纺布，涉及新材料的领域，其包括第一无纺基布以及第二无纺基布，包括用于连接第一无纺基布和第二无纺基布的连接层，所述第一无纺基布、第二无纺基布和连接层沿着长度方向设置有锁边，所述锁边上开设有供第一无纺基布、第二无纺基布和连接层插入的插入槽。
一种复合无纺布

[发明专利]一种多轴向经编任意无交织基网造纸毛毯制造方法-CN201711087209.6在审
发明人：谢宗国;戴永君;周骏;陈风;周兴富 -专利权人：四川环龙技术织物有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： D21F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多轴向经编任意无交织基网造纸毛毯制造方法，其方法步骤为：编织造出无交织基网层坯布，将无交织基网层坯布两端镶在一起；使有端的无交织基网层坯布成为无端环状无交织基网层坯布，无交织基网层坯布安装于植绒机上本发明有益效果：本发明的打磨无痕无交织基网层，通过打磨装置将无交织基网层凹凸不平的表面磨平，步骤简单，成本低，而且能将无交织基网层的、经热油辊加热处理后的板结的表面除去，得到的打磨无痕无交织基网层在使用时不易在纸页表面形成毯痕
基网造纸毛毯坯布多轴向热油辊经编无痕张紧打磨定型造纸毛毯定型机凹凸不平表面除去表面打磨打磨装置加热处理无端环状纸页表面热定型张紧辊板结磨平毯痕植绒纸页制造编织

[发明专利]戊二烯酰胺衍生物-CN200780026016.8无效
发明人：中里宜资;佐久磨;渥美惠理;杉本义幸;石田广志 -专利权人：协和发酵麒麟株式会社
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C07C233/11 文献下载
摘要：式中，R¹表示取代或无取代的芳基或取代或无取代的芳香族杂环基，R²表示取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳香族杂环基、取代或无取代的脂环式杂环基等，R³表示氢原子，或与R4及相邻的氮原子一起形成取代或无取代的杂环基，R⁴表示取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳香族杂环基、取代或无取代的脂环式杂环基等，或与R3及相邻的氮原子一起形成取代或无取代的杂环基
戊二烯酰胺衍生物

[发明专利]一种体外培养自然杀伤细胞的试剂盒及其使用方法和应用-CN202010758389.1在审
发明人：易亮;梁秋彬;钱春明;颜春江;罗国辉;吴佑星;陈志浩;欧阳建军;汪金球 -专利权人：湖南玖森生物科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C12N5/0783 文献下载
摘要：所述试剂盒包括包被液、孵育液和无血清培养基1、无血清培养基2、无血清培养基3和无血清培养基4。其中，所述无血清培养基1、无血清培养基2和无血清培养基3为包含白细胞介素2、白细胞介素15、白细胞介素18、白细胞介素21和自体血浆的无血清培养基；所述无血清培养基4为包括白细胞介素2、白细胞介素15、白细胞介素18和白细胞介素21的无血清培养基。本发明通过合理搭配各培养基中的自体血浆、白细胞介素的种类以及浓度，在种子细胞较少的且未分选纯化的情况下，能够高效制备高产量和高纯度的NK细胞。
一种体外培养自然杀伤细胞试剂盒及其使用方法应用

[发明专利]改性无钴富锂锰基正极材料及其制备方法-CN202211511420.7在审
发明人：张亚丽;吕振国;高朋坤;殷昊曦;严硕 -专利权人：山东派智新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性无钴富锂锰基正极材料及其制备方法，属于无钴富锂锰基正极材料的改性技术领域。其技术方案为：所述改性无钴富锂锰基正极材料包括无钴富锂锰基正极材料，无钴富锂锰基正极材料的体相内分散有二价锡离子。本发明在无钴富锂锰基正极材料的体相中掺杂二价锡离子，对正极材料进行改性，与未改性的无钴富锂锰基正极材料相比，装配成的电池的电化学性能更加优异。
改性无钴富锂锰基正极材料及其制备方法

[发明专利]一种高耐温无卤阻燃乙烯基树脂、一种高耐温无卤阻燃乙烯基玻璃鳞片胶泥-CN202310492582.9在审
发明人：刘世强;蔡文韬;吕晓平;陈建辉;杨帆;吴冰;刘坐镇 -专利权人：华东理工大学华昌聚合物有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C08L63/10 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐温无卤阻燃乙烯基树脂预聚物，所述预聚物包括摩尔比1～3:1的含氮阻燃乙烯基酯预聚物和含磷阻燃乙烯基酯预聚物；含氮阻燃乙烯基树脂预聚物氮元素质量分数大于12％，含磷阻燃乙烯基酯预聚物磷元素质量分数大于高耐温无卤阻燃乙烯基树脂包括上述高耐温无卤阻燃乙烯基树脂预聚物。高耐温无卤阻燃乙烯基树脂玻璃鳞片胶泥包括上述高耐温无卤阻燃乙烯基树脂和其他组分。由高耐温无卤阻燃乙烯基树脂预聚物制成的高耐温无卤阻燃乙烯基树脂玻璃鳞片胶泥不含卤素，无烟无毒，阻燃效果好，玻璃化转变温度可达到200℃以上。
一种耐温阻燃乙烯基树脂玻璃鳞片胶泥

[发明专利]一种无基岛框架封装工艺及其封装结构-CN201610914057.1有效
发明人：殷炯;王强;龚臻;刘怡;章春燕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种无基岛框架封装工艺及其封装结构，所述结构包括无基岛框架（1），所述无基岛框架（1）正面贴覆有固化膜（2），所述固化膜（2）上设置有芯片（3），所述芯片（3）与无基岛框架（1）通过电性连接部件（4）进行电性连接，所述无基岛框架（1）、固化膜（2）、电性连接部件（4）外均包封有塑封料（5），所述无基岛框架（1）背面露出于塑封料（5）。本发明一种无基岛框架封装工艺及其封装结构，它在无基岛框架上贴固化膜固化后形成基岛作用的芯片支撑结构，能够有效解决芯片与管脚接触面积太小导致打线不稳晃动或打线时芯片抬起的问题，同时也能够避免预包封框架两侧铜面积比例差异大导致的框架翘曲问题
一种无基岛框架封装工艺及其结构

[实用新型]一种无基岛框架封装结构-CN201621140849.X有效
发明人：殷炯;王强;龚臻;刘怡;章春燕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无基岛框架封装结构，它包括无基岛框架（1），所述无基岛框架（1）正面贴覆有固化膜（2），所述固化膜（2）上设置有芯片（3），所述芯片（3）与无基岛框架（1）通过电性连接部件（4）进行电性连接，所述无基岛框架（1）、固化膜（2）、电性连接部件（4）外均包封有塑封料（5），所述无基岛框架（1）背面露出于塑封料（5）。本实用新型一种无基岛框架封装结构，它在无基岛框架上贴固化膜固化后形成基岛作用的芯片支撑结构，能够有效解决芯片与管脚接触面积太小导致打线不稳晃动或打线时芯片抬起的问题，同时也能够避免预包封框架两侧铜面积比例差异大导致的框架翘曲问题
一种无基岛框架封装结构

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]环保软质皱镜合成革的生产方法-CN201910828322.8在审
发明人：刘爱明;郑重;罗志清;郑然;刘格 -专利权人：清远市齐力合成革有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： D06N3/00 文献下载
摘要：本发明公开了环保软质皱镜合成革的生产方法，生产方法由以下步骤组成：制备无纺织基布；配置干法面底涂料；将干法面料和干法底料分别涂覆于离型表面，并进行烘干，形成离型纸A；将离型纸A与无纺织基布贴合；将无纺织基布，通入烘箱，烘干后对其进行烫平处理；将无纺织基布进行冷却，冷却后对其进行剥离，形成无泛指基布A；配置湿气固化涂料；将湿气固化涂料涂覆于无纺织基布A表面；对无纺织基布A进行湿化处理对湿化处理后的无纺织基布A进行自然烘干；对自然烘干后的无纺织基布A进行物化性能检测，形成软质皱镜合成革；本发明的生产的软质皱镜合成革简化了工艺，操作更加简捷，节省了原材料，另一方面产品的手感也更加柔软。
纺织基布烘干软质湿化处理湿气固化离型纸干法冷却烘箱干法面料离型表面涂料涂覆物化性能底涂料手感底料基布配置烫平贴合涂覆柔软生产制备涂料剥离检测环保

[发明专利]二氰基吡嗪化合物、发光材料、使用该发光材料的发光元件、以及2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法-CN201680060940.7有效
发明人：安田琢麿;朴仁燮;杨沑锡;住谷弘;福岛幸生 -专利权人：国立大学法人九州大学;日本曹达株式会社
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：式(I)中的R3表示供电子基团，R4表示氢原子、取代或无取代的芳基或者供电子基团，L3表示取代或无取代的亚杂芳基或者取代或无取代的亚芳基，L4表示单键、取代或无取代的亚杂芳基或者取代或无取代的亚芳基。式(II)中的R5表示供电子基团，R6表示氢原子、取代或无取代的芳基或者供电子基团，L5表示取代或无取代的亚杂芳基或者取代或无取代的亚芳基，L6表示单键、取代或无取代的亚杂芳基或者取代或无取代的亚芳基。
二氰基吡嗪化合物发光材料使用元件以及二氰基二卤代吡嗪制造方法

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